Optimum V-t (voltage-lifetime) test design when V-t characteristics is subjected to the inverse power law t=KV-n.

نویسندگان

چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

On the possible volume of $mu$-$(v,k,t)$ trades

‎A $mu$-way $(v,k,t)$ $trade$ of volume $m$ consists of $mu$‎ ‎disjoint collections $T_1$‎, ‎$T_2‎, ‎dots T_{mu}$‎, ‎each of $m$‎ ‎blocks‎, ‎such that for every $t$-subset of $v$-set $V$ the number of‎ ‎blocks containing this t-subset is the same in each $T_i (1leq‎ ‎i leq mu)$‎. ‎In other words any pair of collections ${T_i,T_j}$‎, ‎$1leq i< j leq mu‎$ is a $(v,k,t)$ trade of volume $m$. In th...

متن کامل

d e v e l o p i n g a n i n v e n t o r y m o d e l u n d e r a v e n d o r-m a n a g e d i n v e n t o r y (v m i) p o l i c y w i t h d e f e c t i v e i t e m s a n d p r i c e-d e p e n d e n t d e m a n d

o r g a n i z a t i o n s i n a s u p p l y c h a i n a r e i n d e p e n d e n t e n t i t i e s. a l t h o u g h a c o m p l e t e l y i n t e g r a t e d s o l u t i o n m a y r e s u l t i n o p t i m a l s y s t e m p e r f o r m a n c e, s u p p l y c h a i n m e m b e r s a r e i n t e r e s t e d i n o p t i m i z i n g t h e i r o w n o b j e c t i v e r a t h e r t h a n t h a t o f t...

متن کامل

بررسی طیف حجم (v,k,t) تریدهای ساده و اشتاینری و (v,k,t) تریدهای اشتاینری همگن

ترید دوگانه لاتین یک جفت از مربع های لاتین جزئی مجزا است که همان مجموعه از سلولهای غیر خالی پر شده است و سطر و ستون مربوطه همان مجموعه از ورودی ها را شامل می شود. همچنین می توان گفت که ترید لاتین زیر مجموعه ای از مربع لاتین جزئی است که می تواند با جفت متمایزش جایگزین شود و یک مربع لاتین جدید حاصل شود. ترید لاتین را d-همگن می نامیم، هرگاه پس از حذف سطرها و ستون های خالی، هر سطر و ستون دقیقاً d عض...

15 صفحه اول

Current-Voltage-Temperature (I-V-T) Characteristics of Schottky-Gate of the Structures AlGaN/GaN HEMTs

In this study, the forward bias current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics of (Mo/Au)– AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) have been investigated over the temperature range of 100-450K. The barrier height (Φb), ideality factor (n), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rp) of (Mo/Au)–AlGaN/GaN HEMTs have been calculated from their experimental forward bias curre...

متن کامل

on the possible volume of $mu$-$(v,k,t)$ trades

‎a $mu$-way $(v,k,t)$ $trade$ of volume $m$ consists of $mu$‎ ‎disjoint collections $t_1$‎, ‎$t_2‎, ‎dots t_{mu}$‎, ‎each of $m$‎ ‎blocks‎, ‎such that for every $t$-subset of $v$-set $v$ the number of‎ ‎blocks containing this t-subset is the same in each $t_i (1leq‎ ‎i leq mu)$‎. ‎in other words any pair of collections ${t_i,t_j}$‎, ‎$1leq i< j leq mu‎$ is a $(v,k,t)$ trade of volume $m$. in th...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials

سال: 1986

ISSN: 0385-4205,1347-5533

DOI: 10.1541/ieejfms1972.106.445